Dqq

QQ

[Ma @maxuelulu1]

ARC链热度居高不下，写一篇参与公开主网教程和注意事项

开服时间：9月16号，国内时间大概在9月17号凌晨

一、准备资金跨链：
1.官方合作跨链桥有across、axelar、stargate、wheelx、wormhole，到时候不知道哪个会最快支持。

2.发射台的跨链桥可能会更快支持跨链
https://t.co/YFKACjO7VB

3.如果想让资金更快进入，等溢价小一些直接买https://t.co/WTSSZjVlzj

二、RPC配置：
1.目前有两个私人PRC还可用https://t.co/akoqmSmu53 、https://t.co/t68XYdvopz ：5042

2.开服后可以去找主网公共可用节点
https://t.co/IfgDXTFDvd
当然okx钱包产品效率，大概率会第一时间支持自动添加

三、代币购买途径：
1.直接通过发射台代币发现和交易的第一地点
热度高的台子@minarafun、@TollyLabs、@circlewarp、@DYORSWAPDEX
更多生态在这里找https://t.co/Vz69XsSJ48

2. 电报机器人购买，需要支持发射台代币路由后才能买。
预测最快的会是 @gmgnai 、@Debot_Official

3. FOMO购买，已经提前表态会在主网上线第一时间支持

注意！
开服的时候不要乱用不知名的跨链桥，不要什么野生台子都冲，诈骗很多，一定做好项目调查研究。

[Ma @maxuelulu1]

ARC链MEME币购买教程

首先，需要ARC链的USDC，因为公众主网还没有开放，跨链桥是关闭状态。
所以，只能购买曾经偷渡过去的USDC，下面网站可以用以太坊主网USDC溢价购买。
https://t.co/WTSSZjUNJL

然后，去发射台购买你想要的代币，目前已经可用的主流发射台。

WARP @circlewarp
https://t.co/nyoA9aUfdq

Tolly @TollyLabs
https://t.co/2prz9Q5GFS

DYOR @DYORSWAPDEX
https://t.co/d5CQBz2oc6

交易失败可能还需要添加RPC，有两个可用的RPC有时候很卡正常的。

名称：ARC主网
RPC URL：https://t.co/WAo4px2YFA
链ID：5042
符号：USDC
区块浏览器不用填。
备用RPC：https://t.co/t68XYduQA1

去赌吧，少年。祝百倍！

[Dqq @DQQ1188]

@Murphychen888 应该是2023年1月吗？

[Tigris | 会讲课教授是好老师 @tig88411109]

https://t.co/5658lDJO3H

[Dqq @DQQ1188]

@Sea_Bitcoin 好像把国内用户屏蔽了，没法试，真这样的话比老虎富途贵了6，7倍，比盈透贵了20倍

[Dqq @DQQ1188]

@v3wanu 请问这level2数据，包括美股不是实时的，这个怎么解？？

[李傻根 MORE MONEY @v3wanu]

对了，ibkr开通瑞典权限后，很多人反馈看不到 $SIVE 的k线和报价，这里你需要订阅一下北欧数据

路径是：APP左上角三条杠 - 设置 - 账户设置 - 市场数据订阅 - 订阅右侧的小齿轮 - 欧洲 - 一级（NBBO）- 北欧股票（非专业，一级）

别把自己设置成专业了，不然贵

更多ibkr小技巧在我主页搜，写了20多期了

[fin @fi56622380]

华为τ scaling定律营销策略，无非是more than moore的广义摩尔定律的另一种说法而已

作为芯片架构师，我更感兴趣的，还是芯片密度提升，ppt上41%能耗提升和12.7%性能提升，到底是怎么实现的

看完了论文，感觉华为这次创新，本质上是用设计复杂度高 + 高制造成本 + 超前散热，一定程度弥补了工艺差距

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1. 华为芯片堆叠带来的等效密度提升，是虚假宣传还是真的，是不是工艺突破？有没有实打实的好处？

等效密度提升的来源，是两片芯片用hybrid bonding技术绑在一起，投影面积理论上能减小一半，但第一代不是全芯片双层折叠，而是选择性折叠关键logic，所以只有大概53%的芯片面积实现了折叠(密度155->238)，等到后面几代折叠面积会逐渐增大，到2030年接近全折叠（密度155->292）

这2026第一代等效密度从 2025 年 155 MTr/mm² 跳到 2026 年 238 MTr/mm²，时钟频率也提升了12.7%，功耗比提升41%，表面上看似乎和工艺突破没有什么区别，但有一点重要区别就是leakage power华为从头到尾没有提，只要工艺节点不变，gate leakage、junction leakage 不会因为 3D stacking 自动改善

2030年到2031年的等效密度突变，大概率是来自于2层堆叠到3层堆叠，正如2025到2026年的等效密度突变，时钟频率突变，来自单层到2层折叠

所以从leakage没提这个事来看，这个2031年等效1.4nm，和工艺节点上的突破没有联系。

本质上是用设计复杂度高 + 高成本 + 超前散热 + 超前部署advanced packaging，一定程度弥补了工艺差距

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那么这样看起来虚假的等效密度提升，有用处吗？好处在哪里？

有的，设计上topology折叠，原来要跑几毫米的水平走线，折叠后变成了几十微米。降低了super buffer/bus的长度，降低了clock tree的深度（clock depth -42%、clock wire -28%），clock skew也带来了改良(-25%)，这对动态功耗的改善是实实在在的。部分critical path的缩短，也让时钟频率的上升更容易

所以ppt roadmap上performance的提升，从2025年到2026年上升了12.7%，大部分都是来自于时钟频率的上升（12.7%）

所以好处基本上是topology拆分电路逻辑设计上带来的提升

既然没有实质上的工艺提升，华为芯片堆叠带来等效密度提升的trade off代价在哪里？

三个代价：散热超前发展，设计复杂度高，制造成本变高

最大的代价就是热密度的同步上升，理论上logic on logic都是CPU execution发热最严重的区域，这部分折叠起来相当于功耗密度直接翻倍，但算上41% power efficiency改善，功耗密度仍只比非堆叠方案高40%左右。所以第一代只能对最关键的部分做折叠，大概只占全芯片面积的53%。

所以散热技术也被逼的超前发展，直接上毫米级的MEMS风扇，做micro-cooling fan。

另外的代价就是设计复杂度的变高，critical path的折叠，哪个部分的logic能折叠，折叠之后又会带来从前端到后端的巨大变化要推翻重来

现有的所有EDA工具也不可能支持3D topology，论文自己也承认，full-scale LogicFolding需要全新的3D-native EDA toolchain，把多层stacked dies当作单一连续设计实体处理。哪些logic能折叠、折叠后的inter-die timing closure怎么做，Physical Design（PD）也是难点

制造成本也会更高，被迫超前部署advanced packaging封装，1.5~2um的hybrid bonding + logic on logic都是很有挑战需要显著更高的成本
以前一层wafer做一次光刻；现在两层wafer分别做光刻再bonding，加上hybrid bonding的overlay控制（论文要求<0.5μm）、TSV、KOZ keep-out zone、冗余修复、良率乘法损失，每颗芯片的制造成本和测试成本都要显著上升

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2. Tau scaling这个说法，scaling的到底是什么，这个scaling技术路线是不是一次性的design topology红利？潜力如何？持续进步的空间在哪里？

τ Scaling的核心主张是：用时间常数τ替代几何线宽作为全栈优化目标，在器件、电路、芯片、系统四个层级分别压缩特征延迟

公式本身没有任何新物理。"关注瓶颈延迟"是所有架构师都在做的事情。整个行业都知道互联RC是延迟瓶颈，TSMC每一代工艺都在用low-k dielectrics/semi-damascene等手段降RC。把一个众所周知的优化方向包装成"定律"是显然的营销宣传手段，本质是More than Moore的广义摩尔定律的另一种说法

抛开marketing，华为目前所谓RC delay的改善，本质上是芯片堆叠之后，topology距离缩短，让匹配的effective RC都变小，不是RC工艺常数

至于scaling的意思，是能持续发展的一条roadmap。这里的持续改善路径指的是，全芯片堆叠的层数越来越多，从25~30年的2层堆叠，到31年开始的3层堆叠，以后甚至会考虑4层堆叠

第一代折叠技术甚至不是全芯片双层折叠，而是选择性折叠关键logic，所以只有大概53%的芯片面积实现了折叠(密度155->238)，等到后面几代折叠面积会逐渐增大，到2030年接近全折叠（密度155->292）。2031年的roadmap之所以会出现一个阶跃，就是因为那是从2层折叠到3层折叠的时间点。

但需要注意的是，这个scaling方法的边际效应是逐渐缩小的，折叠成双层的收益是100%，2->3层的收益就只有50%，如果2035年再从3->4层堆叠，收益就只有33%了

另外随着堆叠层数变高，上面说到的三个挑战，散热，设计复杂度，成本，都是越来越大

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3. 华为的芯片堆叠，是不是TSMC/AMD已经有的hybrid bonding技术？华为做到的是cache on logic，cache on cache，还是logic on logic，logic on logic最大的散热问题是怎么解决的？

是已经有的技术没错，但同时也是把现有技术指标做到了领先也是真的，3D堆叠本身不是新技术，TSMC的hybrid bonding量产还是6um，华为论文给出Kirin 2026的hybrid bonding pitch是1.5μm

我在刚刚看到华为的堆叠消息之后，第一反应也是怀疑和AMD的3D V cache类似，它主要把 SRAM cache 叠在 已经有的L3 cache 区域上，通常会避免直接堆在最热的 CPU execution logic 上，就是避免散热问题，毕竟SRAM 的功耗密度和热点特性与high-activity logic 不一样，如果最热的logic on logic堆叠，散热恐怕会碰到困难

但看了更多数据之后，clock buffer -56%、clock depth -42%、clock wire -28%，这些只有在core内部的clock distribution被重构时才可能发生。纯SRAM stacking不会碰core内部的clock tree。另外如果只是cache on cache，大概率是不需要单独MEMS微型风扇额外散热的，证据普遍都指向logic on logic方式

华为这个技术的精妙之处在于，logic on logic 折叠之后热密度并没有翻倍，而是因为topology的好处，能耗下降了30%，这样热密度只上升了40~50%

而第一代没有完全把整个最热的execution logic 100%堆叠起来，论文也明确说selectively applied along key critical paths，只是大概53%有选择性关键路径会堆叠起来，可能颗粒度都没有那么好，只是IP堆叠在IP上，那么热密度上升也许能维持在20%以内

但这条道路继续前行，超前发展的散热就成了必然，现在是MEMS微型毫米级的主动散热风扇，紧贴处理器传导效率高，和华为手机一样，散热堆料特别足，而且技术领先同行。

以后怕是要把HBM7/8的微流道散热技术提前用起来了，毕竟HBM7/8要上24+层堆叠，华为很可能要在提前用上下个世代的散热技术了

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4. 从架构角度来说，最重要的问题，华为41%的power efficiency（能耗比）提升，到底是怎么实现的？为什么AMD的3D V cache没有这么大的提升？

首先确定41%的定义。论文只说"SoC performance-core power efficiency improved by 41%"，没有给出benchmark名称、Voltage/Freq点、温度条件、功耗边界。但PPT roadmap上有一个关键线索：ISO-Power Performance的数字，2025年是2.75，2026年是3.1，提升12.7%

这个时钟频率提升12.7%完全一致，可以理解为，同功耗的性能提升是12.7%，绝大部分是时钟频率提升带来的

至于能耗比上优化的猜测是，LogicFolding缩短critical path → 在固定Vdd下Fmax从2.75GHz提升到3.1GHz → 这意味着在原来的2.75GHz频率下，有了约12.7%的timing headroom → 这个空间在iso-performance模式下可以换成更低的Vdd

另外的能耗比的提升，可能也来自于电路折叠之后，cache hit latency的下降。从业界经验来看，一般L2/L3 cache hit latency下降10%，CPU整体性能会有至少5%的提升

ppt里显示SRAM latency下降30%，估计会有一部分转化为cache hit latency的下降

AMD的3D V cache没有这么大的提升，主要是因为AMD的底层logic die并没有重新设计，3D cache的延迟latency不仅没有减小反而加大，只是增加了cache大小，收益不如latency下降那么明显。

另一方面，clock skew的下降,critical路径变短，造成电路timing变好，意味着华为可以使用更低的vdd（猜测甚至能低7~8%），以及路径缩短所带来的RC的下降(考虑到clock buffer -56%、wire -28%、SRAM pJ/bit -24%这些数字，比如C_eff下降10~15%合理)，再加上clock tree的整体缩短和下降，确实是有可能在部分Voltage/Freq点做到同性能下，做到30%的功耗下降的，而30%的功耗下降换算过来就是41%的power efficiency

对比苹果和高通，每一代手机芯片在iso-power下单核性能一般提升10-20%，iso-performance下功耗一般降30-40%，这是V/F曲线的特性决定的，所以从经验上来说，数字是对的上的。

所以这个power efficiency（能耗比）的提升，从现有的数字上来说可以从topology推导出来是合理的，可能真的和工艺节点没有太大关系

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5. 这个技术路线有没有可复制性，其他家会不会效仿？

短期内不会大规模效仿，因为性价比和风险收益比来说不好。长期来看，这个方向所有人都在走，只是名字不一样

华为做LogicFolding的根本驱动力是制裁，工艺节点被卡在7nm，只能在封装，散热，和设计层面想办法弥补。华为也为此付出了不小的代价：散热成本，设计复杂度，以及制造成本更高（包括良率）。这是一个被逼出来的路线，不是一个自然选择

其他玩家在用TSMC就能做到正常的经济迭代，是没有必要冒着这个风险，去超前迭代散热技术和设计复杂度的

长期来看，Intel的Foveros、TSMC的SoIC、AMD的MI300的3D stacking都在朝同一个方向走。如果继续追最先进节点的经济性持续恶化，那么"固定一个成熟节点+3D topology optimization"的路线会越来越有吸引力

散热方面，MEMS微型风扇和微流道也会成为未来HBM散热的主流

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总结一下，华为这次的创新，绝对是值得尊重的，在制裁环境下，用极高的设计复杂度和成本，在一个被锁定的工艺节点上大胆重新设计，榨出了一次大的topology红利，虽然它有天花板。每多加一层的边际收益递减（堆叠1->2层, 2->3层, 3->4层，提升百分比变小），leakage无法解决，散热越来越难，3D EDA工具链更是全新的挑战。

但这个Tau scaling不是一条可以走十年的指数增长路径，每次爬完一个台阶，下一个台阶更难爬，而且台阶更矮收益更小，华为以后想缩小差距，还得再想想靠什么其他的路线

[Phyrex @PhyrexNi]

今天的市场其实已经挺明确了，上涨的主要原因就是美国和伊朗透露出能达成协议的趋势，但说实话啊，这部分的乐观是从美国透露的，在伊朗的媒体上我并没有看到相关的内容，所以搞不好又是美国或者是川普的单方面宣布胜利，而伊朗完全不配合。

虽然美股带动 Bitcoin 上涨，虽然确实 WTI 和布伦特都出现下行，但并未看到伊朗对霍尔木兹海峡放行的信息，反而是伊朗还在指定自己对霍尔木兹海峡管理的条例，这就让我很难提前高兴，毕竟这种反复出现的次数太多了。

当然目前也没有什么更好的方法，到目前我做空 WTI 是已经开始账面盈利了，而且爆仓价格始终保持在 120 美元以上，资金费率现在也不算高，可以在坚持两天看看，而且我任然觉得即便是现在还不能达成霍尔木兹海峡的通畅，但时间不会太久了。

今天公布的美联储四月会议纪要也说明了这个问题，这次很多美联储的官员都开始考虑如果通胀继续上涨就要重新考虑加息的问题了，这才是给川普最大的困难，沃什上来已经别说什么降息了，在油价这个高的时候降息是不可能的，除非是川普能彻底解决霍尔木兹的问题。

而且霍尔木兹引发的通胀上涨并不仅仅是美国，全球多数国家都受到了影响，包括中国在内，所以对伊朗的压制会是全方位的，时间拖得越长，对伊朗越不利。

回到 BItcoin 的数据来看，我一直坚持的是更多的投资者转向了长期持有，目前决定 $BTC 价格的主要是短期投资者，而影响短期投资者决定的就是美国的宏观，政治和经济，虽然今天的会议纪要不好，但只要能看到美国和伊朗和谈，能看到霍尔木兹通畅，这些都不是事。

#Bitget 来了就是VIP！Crypto、美股、CFD，全球先机一站布局

[TSLA99T @Tsla99T]

阿段言行合一了

[Star@Day1Global Podcast @starzq]

段永平的 13F 出来了，有点意思

- 终于建仓了 $TSLA , 建仓价 371，大概率是 sell put 进来的。而且量不小 6.34%，一下子成为了 top5 仓位
- 买了一点点 $CRCL , 0.1%, 不知道是哪位朋友 cx 的哈哈
- 翻倍加仓 $GOOG $NVDA $PDD $DIS , 加仓 $MSFT
- 小仓位试水了不少 AI 股： $CRDO (站在了光里), $PLTR $CRWD $SNPS $SNOW $INOD
- 减了 10% 的 $AAPL , 87% 的 $TSM

13F是上个季度的操作，段永平这种长期持有者的大仓位是可以抄抄作业的，Leopold 这种作业要谨慎抄，可能几天就换一次仓位

[散户研习社 @sanhuyanxishe]

长鑫存储，关联公司梳理（附名单）

长鑫存储是中国首家专注于DRAM设计、研发、生产和销售的一体化IDM企业。长鑫科技2026年一季度营收508亿元，同比增长719.13%；净利润330.12亿元，同比增长1268.45%%。

参股

合肥城建：公司间接持有长鑫科技股份，并为长鑫集成提供厂区、办公区、生活区等专业化项目代建等服务。

兆易创新：公司持有长鑫科技约1.80%股权。

美的集团：公司持有长鑫科技约0.76%股权。

招商证券：公司持有长鑫科技约0.54%股权。

上峰水泥：公司通过上海君挚璞基金间接持有长鑫科技约0.15%股权。

合百集团：公司通过合肥产投间接持有长鑫科技约0.08%股权。

朗迪集团：公司通过宁波燕创德鑫基金间接持有长鑫科技约0.07%股权。

正帆科技：公司通过上海君挚璞基金间接持有长鑫科技约0.015%股权。

上海建工：公司通过芜湖星原基石基金间接持有长鑫科技约0.015%股权。

上海电气：公司通过东方资产间接持有长鑫科技约0.007%股权。

中山公用：公司新能源产业基金新质生产力项目包括长鑫存储。

设备供应

北方华创：国内主流高端电子工艺装备供应商。长鑫第一大国产设备供应商，覆盖刻蚀、PVD、CVD、清洗设备等。

拓荆科技：公司主营高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。公司产品广泛用于长鑫存储。

华海清科：公司主营半导体专用装备的研发、生产、销售及技术服务。产品进入长鑫存储。

盛美上海：中国大陆少数具有一定国际竞争力的半导体专用设备提供商。清洗设备获合肥长鑫订单。

芯源微：国内涂胶显影、单片式湿法设备龙头企业。前道涂胶显影设备获得合肥长鑫订单。

精智达：公司专注于半导体测试检测设备及系统解决方案。与长鑫存储有合作。

精测电子：显示和半导体前道的检测设备领头企业。量检测设备通过长鑫认证。

中科飞测：公司主营半导体检测与量测设备。下游客户长鑫存储。

至纯科技：国内高纯工艺系统及湿法设备主要供应商之一。客户包括长鑫存储。

京仪装备：半导体专用温控设备国内市占率第一。产品应用于长鑫存储。

材料供应

雅克科技：全球DRAM前驱体材料龙头，公司半导体前驱体材料供应合肥长鑫。

安集科技：公司主营高端半导体材料的研发和产业化。长鑫存储为公司重要客户。

鼎龙股份：国内电子成像显像专用信息化学品龙头。抛光垫产品已通过合肥长鑫认证。

彤程新材：国内领先的半导体光刻胶龙头生产商。KrF/i线光刻胶供货长鑫。

江化微：国内湿电子化学品领先企业。公司是电子化学品客户包含长鑫存储。

有研新材：中国最大的具有国际水平的半导体材料研究、开发、生产基地。长鑫存储重要的靶材供应商。

晶瑞电材：国内最早规模量产光刻胶的少数几家企业之一。公司i线光刻胶产品向长鑫存储供货。

中船特气：电子特种气体产能及收入规模国内企业第一，拥有光刻气业务。终端客户包括长鑫存储。

金宏气体：领先的电子特种气体及电子大宗气体供应商。公司电子特气绑定长鑫存储。

广钢气体：公司主营研发、生产和销售以电子大宗气体为核心的工业气体。与长鑫存储建立了长期合作关系。

兴福电子：公司主营通用湿电子化学品及功能湿电子化学品的研发、生产及销售。公司湿电子化学品获得长鑫存储认可。

洁净室

柏诚股份：国内少数具备承接多行业主流项目的洁净室系统集成解决方案提供商之一。长鑫是公司长期合作客户，公司参与长鑫的洁净厂房建设。

亚翔集成：公司专注IC半导体、光电等领域厂房的高端洁净室工程。公司承揽了合肥长鑫洁净室工程。

深桑达A：洁净室市占率国内居前。公司洁净室业务中标及承建的重点项目中包括长鑫存储。

代理

兆易创新：公司主营存储器、微控制器、传感器和模拟芯片的研发、技术支持和销售。代销长鑫存储DRAM产品。

商络电子：国内领先的电子元器件分销商之一。公司代理销售存储品牌长鑫存储。

中电港：境内规模最大的电子元器件分销商。公司有长鑫相关型号产品。

雅创电子：公司在互动平台表示，已取得长江存储及长鑫存储代理资质，主要分销其存储产品。

力源信息：公司主营电子元器件分销业务。代理的存储产品线涵盖长鑫存储。

封测

通富微电：全球集成电路封测领先企业之一。公司战略合作长鑫存储。

深科技：国内高端存储芯片封测的龙头企业。子公司沛顿科技加工的晶圆主力来自长鑫存储。

汇成股份：参股公司鑫丰科技是长鑫存储供应体系中少数具备LPDDR5量产封装能力的重要合作伙伴。

模组

江波龙：全球前二、中国最大的独立存储器企业，重要产品包括内存。公司与长鑫存储合作。

其他

珂玛科技：国内先进陶瓷材料头部企业。公司为长鑫产业链关键零部件供应商。

新莱应材：国内为数不多覆盖泛半导体、食品安全、生物医药三大领域的应用材料制造商。客户包括合肥长鑫。

神工股份：公司主营半导体单晶硅材料及硅零部件，已进入长鑫存储供应链。

德明利：公司提供专业存储控制芯片及解决方案，与长鑫存储保持长期稳定合作关系。

华天科技：中国大陆前三、全球第六的半导体封装测试公司，与长鑫有业务合作。

博敏电子：公司主营高精密印制电路板的研发、生产和销售。公司客户包括长鑫存储。

[qinbafrank @qinbafrank]

为什么光模块公司总市值比美光还低？原因无它，这主要是由市场容量和产业集中度来决定的。详细说说：
1、存储的的市场规模十倍于光模块/CPO
25年全球存储芯片规模接近2500亿美金，26年全球存储市场规模预计能到3700～4000亿美金，而对29年存储市场规模各个投行预计差别有点大保守有看到六七千亿美金，乐观的有看到九千一万亿美金的体量。

全球光模块与CPO市场整体规模预计从 2025 年的165亿美元增长至 2026年的 260亿美元，年增长率超过 57%。cpo在26年规模还很小，主要是光模块。未来几年到29件对于光模块/CPO市场容量平均估计能到五百多亿美金以上，看到有乐观的能到八九百亿美金。

但整体上来看，存储市场规模差不多是光模块十倍以上。

你看营收体量就能看出来：
海力士最新一季度营收350亿美金，美光280亿美金。
而中际旭创单季营收25亿美金，cohr差不多18亿美金，lite单季不到10亿美金。

营收体量也决定了市值规模

2、产业集中度
存储行业高度寡头垄断，中高端存储芯片三星+SK海力士+美光占八九成份额，壁垒极高（资本+工艺），龙头护城河深。而且存储厂商垂直整合能力很强，产业链掌控环节很强。三星、海力士、美光、铠侠，再加上国内的长鑫、长存基本上内存芯片看这几家就可以了。如果再往上游

光模块/CPO领域产业链碎片化严重，相信大家看光模块市场对其产业链环节众多、各个环节上竞争对手也很多、印象非常深。从上游材料、到硅光、激光器、组件、连接等等。再加上技术路线还在从光模块、NPO、CPO的路径迭代，新的玩家也不少。

所以是市场体量、公司体量、产业集中度，共同决定了存储企业的规模市值远大于光模块/CPO企业，特别是中级旭创市值已经1500亿美金，cohr、lite体量800亿美金，去看其营收体量其实能match的。

如果只是光模块企业比存储企业是市值差异来进行投资决策、这其实是有误区的。

核心是看产业市场容量能到什么量级，这个企业能吃到多大份额，特别是光领域正在从光模块到npo、再到cpo快速演进，谁掌握核心技术自然谁的空间更大。

[Dqq @DQQ1188]

@v3wanu 好的 ，谢谢。先在国内开个户看看。

[Dqq @DQQ1188]

@ZmsilatipaC @v3wanu 好的，谢谢，我试试看

[Dqq @DQQ1188]

@ZmsilatipaC @v3wanu 就是太占用资金了，不太想升级成卓越

[Dqq @DQQ1188]

@OffshoreSherpa @v3wanu 可惜了啊

[Dqq @DQQ1188]

@DoctorMbitcoin 姐啊，强的话就不会一直跌了