kkndeme

RUC STAT｜Trustworthy AI｜亏钱机器quant｜赌大小trader｜NFT小图片收藏家｜纪念币土狗爱好者｜二级山寨接盘大冤种｜空投反撸专家

[kkndeme @hiddenbxy]

财富的积累在于避免大的回撤——带神

[kkndeme @hiddenbxy]

@Web3Feng 我恨你，都是你们这帮有钱人把我的女大抢走了😭

[kkndeme @hiddenbxy]

@sangniu173107 @0xJoveXu 真的假的

[kkndeme @hiddenbxy]

@zoubaiwan @xiaomustock 场内和场外

[kkndeme @hiddenbxy]

#港美互联网LOF
川沐@xiaomustock 错误的估计了港美互联网LOF的持仓股，如果买入将造成巨额亏损

港美不是非封闭基金，基金经理可以随时随意调仓。最新公布的含有美光闪迪台积电的持仓是3.31日的持仓，而非现在的

港美在5.27净值仅涨2%，而那天美光涨了20%。因此基金经理已经调仓 港美成分已没有存储

[kkndeme @hiddenbxy]

@_TAOLIMAO 币圈投资者素质太低了

[kkndeme @hiddenbxy]

@xiaomustock 我几天前就说了，基金净值和之前汇报的成份股走势对不上，可以看我帖子

[kkndeme @hiddenbxy]

川沐@xiaomustock 自己都说了

不要再被黑盒基金 #港美互联网lof 坑了

今天一开盘卖了上周三申购的套利仓位

[kkndeme @hiddenbxy]

@shibcq @xiaomustock 你可以看下他每个季度公布的持仓披露，每次差距都非常大，存储是这次刚加的。川沐买这个是感觉能吃溢价。我感觉其实不如直接买dram这种。

[kkndeme @hiddenbxy]

@shibcq @xiaomustock 我说的不是个人能从场外申购赚多少。是场外的净值和成份股走势脱钩。以及溢价的计算方式

[kkndeme @hiddenbxy]

@li1735761886897 @Genkin_He @xiaomustock 不管怎样 都没有买的必要了啊，买它就是想买美光，结果走势跟美光严重脱钩，买它干啥

[kkndeme @hiddenbxy]

@Genkin_He @xiaomustock 10%的闪迪，10%的英伟达，10%的台积电。那天闪迪也涨了10%。怎么都对不上。

[kkndeme @hiddenbxy]

#港美互联网LOF

对于港美这类海外资产基金，川沐@xiaomustock 完全搞错了溢价率的计算公式。

券商平台的溢价率=场内价格/最新净值-1

但是最新净值都是两天前的。

所以在高波动情况下，溢价来自时间的错位统计而非真实资产溢价。

看券商app显示的溢价完全是误导！

[kkndeme @hiddenbxy]

@DongxiaJ @xiaomustock 是的，完全黑箱，根本不知道持仓股是什么，每个季度仓位变化非常大

[Macro_Lin ｜ 市场观察员 @LinQingV]

长鑫存储扩产的设备供应链全景
长鑫现在合肥两座、北京一座，三座12英寸厂。合肥一厂11万片月产能，二厂8万片，北京厂7万片，加起来接近30万片，全部满产。两年涨了三倍，2024年初差不多10万片，2025年底冲到28到30万，2026年目标稳在30万。按晶圆片数算全球DRAM占比已经接近15%，但按销售额算只有3.97%，片数堆上来了，单价还在追赶。

工艺端，G4在16纳米已经量产，DDR5良率从2024年底的80%升到现在的90%区间。G5对应15纳米，2026年底量产。HBM2去年下半年就上了，比外界预期提前两年，主要供华为昇腾910。HBM3的前段晶圆产能主要在合肥和北京现有基地内部腾出来，目标月产6万片，约占30万片总产能的20%。后段的堆叠和封装由上海新建的HBM封测厂承接，2026年底投产。

产能还在继续扩。上海新厂分两期，Phase 1产能10万片，2027年初量产，Phase 2同样10万片，2028年初量产。加上现有的30万片，远期产能目标是奔着50万片以上去的。华为也在建一条10万片规模的产线，专门配合长鑫做昇腾系列所需的HBM3和LPDDR5X，2026年下半年开始全面量产。

IPO募资295亿，DRAM技术升级拿了130亿，量产线升级75亿，前瞻技术研发90亿。多家券商纪要提到其中约200亿会直接变成设备采购订单，叠加2024年712亿的存量Capex节奏，是国产设备厂未来两年最确定的基本盘。

长鑫正在进行的大规模扩产，设备采购需求非常可观。每个品类的国产化进展差异很大。

光刻是最大的对外依赖，国产化率连5%都不到。主力机器是ASML的NXT:1980Di，每小时出275片，覆盖到16纳米节点，目前还能正常采购。被荷兰管制的是NXT:2050i及以上，每小时295片，2023年9月起要许可证，2024年1月起对华许可基本停发。修正一个流传很广的说法，275到295片是1980Di到2050i的代际跳变，不是1980系列内部的迭代。长鑫往15纳米以下走，这道墙绕不开。上海微电子的28/14纳米DUV还在攻关，光刻这一环短期无解。

刻蚀占设备投资25到30%，是国产化最深的核心工艺。北方华创的ICP在长鑫产线上市占超过50%，中微的CCP介质刻蚀机做到50比1以上深宽比，专门用于HBM的TSV深硅通孔。但存储节点100比1深宽比的极端工艺，孔洞必须互相平行规整，任何偏差直接砸良率，Lam和东京电子在这个区间仍然是主力。

薄膜沉积占约25%，品类分得细。PECVD做绝缘层，PVD做金属互连，ALD做电容器的高k介电层。拓荆科技的PECVD已经批量进入长鑫DDR5和LPDDR5产线，北方华创的PVD覆盖铝铜溅射和氮化钛溅射。但DRAM电容器核心的高k ALD设备，应用材料和ASM的位置很难动，拓荆的ALD在验证爬坡中还没有大规模上量。整体看PECVD和PVD的国产化率高一些，ALD最低。

CMP只占设备投资5到7%。华海清科占国产CMP装备销售90%以上份额，12英寸Universal-300已经导入长鑫。新变量是中微4月29日刚过会的收购杭州众硅，6抛光盘架构是国际首创，效率比主流4盘方案高一截。国产CMP从单点供应正式进入双供。

清洗国产化率30到40%，盛美上海的SAPS/TEBO兆声波清洗覆盖FinFET和DRAM的16到19纳米制程。热处理40到50%，北方华创立式氧化炉打头，激光退火端莱普科技两年内国内市占从3%涨到16%，跟长鑫和长存共同开发匹配DRAM工艺的设备。这几个环节已经跑通了。

最薄弱的三个环节是量测检测、涂胶显影和离子注入。量检测国产化率个位数，KLA全球占51到54%，精测电子进了长鑫12英寸产线，中科飞测也在部分环节往里切，但高端光学检测和电子束检测差距仍然明显。涂胶显影国产化率仅4%，东京电子在大陆市占超过90%，芯源微是唯一量产替代，目前只在封装端站住了，前道关键层还进不去。离子注入同样个位数，万业凯世通累计交付40多台。弹性最大的三个环节，也是短期内最动不了的三个环节。

长存三期产线2026年一季度国产设备占比首次过50%，目标100%。长鑫设备国产化率已突破45%，但仍低于长存三期产线的水平。根源在工艺。DRAM的电容刻蚀和光刻精度对先进DUV的依赖远高于3D NAND。NAND可以靠堆层数绕过光刻瓶颈，DRAM要正面硬刚，结构性差异，跟意愿无关。

外部约束在收紧。4月22日美国众议院外交事务委员会投票通过了MATCH法案，路透社称之为"国会史上最大规模的半导体出口管制立法审议"。法案把长鑫、中芯国际、长江存储、华为、华虹一起列入covered facility，禁止ASML的DUV浸没式光刻机对长鑫出口，禁止盟国为既有设备提供维保，要求荷兰和日本在150天内对齐美方规则。主要推手是美光。一旦通过，NXT:1980Di这条最后的灰色通道就堵死了。长鑫本身还没进BIS实体清单，但设备进口其实早就在2022年10月那波18纳米以下DRAM工艺限制的笼子里。

45%的国产化率意味着长鑫在两条腿走路，海外设备保良率，国产设备保供应链安全。MATCH法案的压力反而在加速这个进程。长鑫每往国产设备多切一个百分点，对应的就是北方华创、中微、拓荆、华海清科、盛美这些公司实打实的订单增量。上海新厂分两期共20万片的增量产能，加上现有产线的持续技术升级，未来两到三年国产设备厂面对的是一个确定性极高的需求窗口。

从更长的时间尺度看，长鑫的扩产不只是一家公司的资本开支计划。它每走通一个工艺节点，整条12英寸国产设备平台就多一次被验证、被复用的机会。刻蚀和CMP已经证明了这条路径，薄膜沉积和清洗正在跟进，量测和涂胶显影是下一个要啃的硬骨头。这个验证循环一旦转起来，国产设备的竞争力会以远超线性的速度积累。

[Olga Zaghen @olgazaghen]

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[kkndeme @hiddenbxy]

@ls_qu30904 发篇顶会就行了

[kkndeme @hiddenbxy]

@dotyyds1234 @agintender 德州就是不受规则没意思啊，不然不就随笔推比大小了？哪怕赢了钱请吃饭呢

[kkndeme @hiddenbxy]

@dotyyds1234 @taresky 你是我爹

[kkndeme @hiddenbxy]

@predict_anon 我感觉opus写代码还挺厉害的吧，可能得prompt里面加限制要求