Shuguang Shi

[Shuguang Shi @sunnyi1]

@Monster_kyl @tuolaji2024 神股—谐音炒作

[Jealousy 尼卡 @eastweb3eth]

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[Shuguang Shi @sunnyi1]

@mrdotyi @sukie234 那是跟 trump 二儿子闹僵之前吧

[Shuguang Shi @sunnyi1]

@mrdotyi @sukie234 得罪了 trump 家族，估计也不敢去美国吧

[Shuguang Shi @sunnyi1]

@lhz991 @shawnyinmr @AlphaguyTrading 他同时在用 Sell Put + Sell Call 的组合策略。在港交所披露规则里，卖出 Put 会算作“好仓”（因为若股价跌破行权价，他有义务接货买进股票）。当这些 Put 到期时股价高于行权价，期权作废（expired worthless），不用接货，于是披露的“好仓”比例就自然下降。另外就是部分被 call 走了（call被行权）。

[Shuguang Shi @sunnyi1]

@CrushTheShorts 暴力反弹是逃跑机会，机构还在大量卖出

[Shuguang Shi @sunnyi1]

@CrushTheShorts 哎， 上午看到中兴又拿球了。。。祖训 啊

[Shuguang Shi @sunnyi1]

@CrushTheShorts 鱼哥，拓荆尾盘竞价是什么操作？

[Shuguang Shi @sunnyi1]

@CrushTheShorts

[Macro_Lin @LinQingV]

长鑫存储扩产的设备供应链全景
长鑫现在合肥两座、北京一座，三座12英寸厂。合肥一厂11万片月产能，二厂8万片，北京厂7万片，加起来接近30万片，全部满产。两年涨了三倍，2024年初差不多10万片，2025年底冲到28到30万，2026年目标稳在30万。按晶圆片数算全球DRAM占比已经接近15%，但按销售额算只有3.97%，片数堆上来了，单价还在追赶。

工艺端，G4在16纳米已经量产，DDR5良率从2024年底的80%升到现在的90%区间。G5对应15纳米，2026年底量产。HBM2去年下半年就上了，比外界预期提前两年，主要供华为昇腾910。HBM3的前段晶圆产能主要在合肥和北京现有基地内部腾出来，目标月产6万片，约占30万片总产能的20%。后段的堆叠和封装由上海新建的HBM封测厂承接，2026年底投产。

产能还在继续扩。上海新厂分两期，Phase 1产能10万片，2027年初量产，Phase 2同样10万片，2028年初量产。加上现有的30万片，远期产能目标是奔着50万片以上去的。华为也在建一条10万片规模的产线，专门配合长鑫做昇腾系列所需的HBM3和LPDDR5X，2026年下半年开始全面量产。

IPO募资295亿，DRAM技术升级拿了130亿，量产线升级75亿，前瞻技术研发90亿。多家券商纪要提到其中约200亿会直接变成设备采购订单，叠加2024年712亿的存量Capex节奏，是国产设备厂未来两年最确定的基本盘。

长鑫正在进行的大规模扩产，设备采购需求非常可观。每个品类的国产化进展差异很大。

光刻是最大的对外依赖，国产化率连5%都不到。主力机器是ASML的NXT:1980Di，每小时出275片，覆盖到16纳米节点，目前还能正常采购。被荷兰管制的是NXT:2050i及以上，每小时295片，2023年9月起要许可证，2024年1月起对华许可基本停发。修正一个流传很广的说法，275到295片是1980Di到2050i的代际跳变，不是1980系列内部的迭代。长鑫往15纳米以下走，这道墙绕不开。上海微电子的28/14纳米DUV还在攻关，光刻这一环短期无解。

刻蚀占设备投资25到30%，是国产化最深的核心工艺。北方华创的ICP在长鑫产线上市占超过50%，中微的CCP介质刻蚀机做到50比1以上深宽比，专门用于HBM的TSV深硅通孔。但存储节点100比1深宽比的极端工艺，孔洞必须互相平行规整，任何偏差直接砸良率，Lam和东京电子在这个区间仍然是主力。

薄膜沉积占约25%，品类分得细。PECVD做绝缘层，PVD做金属互连，ALD做电容器的高k介电层。拓荆科技的PECVD已经批量进入长鑫DDR5和LPDDR5产线，北方华创的PVD覆盖铝铜溅射和氮化钛溅射。但DRAM电容器核心的高k ALD设备，应用材料和ASM的位置很难动，拓荆的ALD在验证爬坡中还没有大规模上量。整体看PECVD和PVD的国产化率高一些，ALD最低。

CMP只占设备投资5到7%。华海清科占国产CMP装备销售90%以上份额，12英寸Universal-300已经导入长鑫。新变量是中微4月29日刚过会的收购杭州众硅，6抛光盘架构是国际首创，效率比主流4盘方案高一截。国产CMP从单点供应正式进入双供。

清洗国产化率30到40%，盛美上海的SAPS/TEBO兆声波清洗覆盖FinFET和DRAM的16到19纳米制程。热处理40到50%，北方华创立式氧化炉打头，激光退火端莱普科技两年内国内市占从3%涨到16%，跟长鑫和长存共同开发匹配DRAM工艺的设备。这几个环节已经跑通了。

最薄弱的三个环节是量测检测、涂胶显影和离子注入。量检测国产化率个位数，KLA全球占51到54%，精测电子进了长鑫12英寸产线，中科飞测也在部分环节往里切，但高端光学检测和电子束检测差距仍然明显。涂胶显影国产化率仅4%，东京电子在大陆市占超过90%，芯源微是唯一量产替代，目前只在封装端站住了，前道关键层还进不去。离子注入同样个位数，万业凯世通累计交付40多台。弹性最大的三个环节，也是短期内最动不了的三个环节。

长存三期产线2026年一季度国产设备占比首次过50%，目标100%。长鑫设备国产化率已突破45%，但仍低于长存三期产线的水平。根源在工艺。DRAM的电容刻蚀和光刻精度对先进DUV的依赖远高于3D NAND。NAND可以靠堆层数绕过光刻瓶颈，DRAM要正面硬刚，结构性差异，跟意愿无关。

外部约束在收紧。4月22日美国众议院外交事务委员会投票通过了MATCH法案，路透社称之为"国会史上最大规模的半导体出口管制立法审议"。法案把长鑫、中芯国际、长江存储、华为、华虹一起列入covered facility，禁止ASML的DUV浸没式光刻机对长鑫出口，禁止盟国为既有设备提供维保，要求荷兰和日本在150天内对齐美方规则。主要推手是美光。一旦通过，NXT:1980Di这条最后的灰色通道就堵死了。长鑫本身还没进BIS实体清单，但设备进口其实早就在2022年10月那波18纳米以下DRAM工艺限制的笼子里。

45%的国产化率意味着长鑫在两条腿走路，海外设备保良率，国产设备保供应链安全。MATCH法案的压力反而在加速这个进程。长鑫每往国产设备多切一个百分点，对应的就是北方华创、中微、拓荆、华海清科、盛美这些公司实打实的订单增量。上海新厂分两期共20万片的增量产能，加上现有产线的持续技术升级，未来两到三年国产设备厂面对的是一个确定性极高的需求窗口。

从更长的时间尺度看，长鑫的扩产不只是一家公司的资本开支计划。它每走通一个工艺节点，整条12英寸国产设备平台就多一次被验证、被复用的机会。刻蚀和CMP已经证明了这条路径，薄膜沉积和清洗正在跟进，量测和涂胶显影是下一个要啃的硬骨头。这个验证循环一旦转起来，国产设备的竞争力会以远超线性的速度积累。

[Shuguang Shi @sunnyi1]

@KK_CNJP 看报道日本就业很好，日经也一路暴涨，实际也是“消费降级”了吗？

[Shuguang Shi @sunnyi1]

@Diablo_gu @keyahayek 应该是买断吧，就是其他人不能再用，只能自己使用。

[Atsushi 沖縄 Photographer @AtsushiOkinawa]

穏やかで美しい風景は
心も穏やかに美しくすると思う

石西礁湖

[Shuguang Shi @sunnyi1]

@KK_CNJP 太胆大了，不过这符合 KK 哥性格👍
终于看到庐山真面目～

[Elon Musk @elonmusk]

Starship

[Shuguang Shi @sunnyi1]

@KK_CNJP 还以为 kk 哥刻的是'爱'字，爱某人，及她的家乡

[今井清光 @imaik2]

金峰山から、富士山🗻の上空の薄雲も朝焼けしてきて、大雲海と相まってとても綺麗です。😊

[ハスカップ07 @haskap1017]

湘南の海で見た夏の夕暮れが綺麗でした

[び〜すけ🎆 @FW_Senrin]

📅2025年8月16日
📍山形県鶴岡市
🎆赤川花火大会

行く前から知っていました！！！
間違いなく日本一の花火大会です！！

#赤川花火大会2025
#赤川花火大会

[Mitsuki Sotoma 📷 外間 光貴 @MitsukiSotoma_V]

赤川花火大会/山形県鶴岡市
2025/08/16
特別プログラム
紅屋青木煙火店
アルプス煙火工業
磯谷煙火店
マルゴー